闪存芯片，是具体为串行的代码型闪存芯片。上述产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边，以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。
一、闪存产品简介：
闪存属于半导体介质存储器，是一种主流的非易失性存储器。
（一）存储设备分类与用途：
存储设备主要分为磁盘和存储芯片两种。
磁盘，是指利用磁能方式存储信息的磁介质设备，其存储与读取过程需要磁性盘片的机械运动，目前广泛应用于 PC 硬盘、移动硬盘等领域。
存储芯片，又称为存储器，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，目前有取代磁盘的趋势。
存储芯片大致分类如下：
闪存芯片分类与用途：
闪存芯片是最主要的存储芯片，主要为 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。NOR Flash 主要用来存储代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。NOR Flash 分为串行和并行。
串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求，逐步成为主要系统方案商的首选。
NAND Flash 可以实现大容量存储、高写入和擦除速度、相当擦写次数，多应用于大容量数据存储，例如智能手机、平板电脑、U 盘、固态硬盘等领域。
二、闪存芯片行业特点：
根据产品类型不同，闪存芯片行业呈现如下特点：
（1）NOR Flash 芯片占据中低容量及代码存储市场：
NOR Flash 芯片具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势，是中低容量闪存芯片市场的主要产品。同时，终端电子产品因内部指令执行、系统数据交换等功能需要，必需配置相应容量的代码存储器，NOR Flash 芯片是其不可或缺的重要元器件。
由于并行 NOR Flash 芯片在易用性、成本、功耗等方面不及串行 NOR Flash芯片，因此，串行 NOR Flash 芯片的占比正在快速上升。
为维持产品高毛利、开拓更广阔的的市场，三星电子、美光科技等全球闪存芯片巨头已将产品重点转入市场容量更大的 NAND Flash 芯片领域。随着三星电子等全球闪存芯片巨头逐步淡出 NOR Flash 芯片市场，为国内 NOR Flash 芯片设计企业尤其是串行 NOR Flash 芯片设计企业带来了历史性的发展机遇。
（2）NAND Flash 芯片需求稳步攀升
随着信息技术的三波创新革命，以移动互联网、大数据、云计算和物联网为代表的新一代信息技术发展正在推动信息产业转型升级，对海量数据的处理、存储提出了越来越高的要求。NAND Flash 具有更大的存储容量、更高的擦写速度和更长的寿命，是实现海量存储的核心，已经成为大容量存储的主要选择。当前阶段，NAND Flash 市场的发展主要受到智能手机和平板电脑需求的驱动。
相对于机械硬盘等传统存储介质，采用 NAND Flash 芯片的 SD 卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构，无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、体积小、读写速度快、工作温度范围广，是未来大容量存储的发展方向。随着大数据时代的到来，NAND Flash 芯片将在未来得到巨大发展。
三、产品应用范围介绍 ：
产品应用范围，具体如下：
（1）NOR Flash 芯片技术特点为可随机存储，确保了较快的随机读取速度；可执行代码，确保可直接和处理器连接。因此，NOR Flash 芯片广泛应用于需要频繁执行各类程序的嵌入式领域，如代码存储。未来 NOR Flash 芯片主要在降低成本和功耗、提升擦写编程速度、提升可靠性等方面进行技术升级。
（2）NAND Flash 芯片技术特点为非随机存储、不可执行代码，但以块为单位进行存储操作，具备较高的存储速度，适合大容量的数据存储。
因此，NANDFlash 芯片主要应用于批量数据存储的领域，如大容量数据存储。由于 NANDFlash 工艺节点越小，越容易出现坏块，需要软件和固件来管理坏块，技术复杂度较高。未来 NAND Flash 芯片主要在降低成本、提高存储容量、提高存取速度、提升可靠性等方面进行技术升级 。
